KlettSintering

高性價比

只有一個表面有NanoWiring結構

剪切強度 （最高可達60MPa）

高抗拉強度 （大於 KlettWelding）

KLETTSINTERING過程

KlettSintering我們如何製造

結構化

塗層

只有一個表面有NanoWiring結構

定位

施加壓力

溫度 （从170°C）
壓力 （從 10 MPa）
時間 （從 10 s）

KLETTSINTERING概要

KlettSintering応用分野

大電流母線

汽車逆變器

電力電子電路

芯片貼裝

金屬陶瓷 （傳感器）

KlettSintering演示視頻

觀看我們的CEO介紹的有關KlettSintering的視頻

KLETTSINTERING+過程

KlettSintering+

不需要特作準備

表面沒有NanoWiring結構

使用KlettWelding-Tape

高強度，可修復

KlettSintering+應用範圍

靈活應用

大電流母線

3D封裝技術

我們如何製造KlettSintering+

結構化

塗層

表面沒有NanoWiring結構

定位

施加壓力

溫度 （从170°C）
壓力 （從10MPa）
時間 （從120s）

NanoWired技術比較

比較表（KlettSintering和KlettSintering+）

KlettSintering

KlettSintering+

NanoWiring

只有一個表面有NanoWiring結構

使用KlettWelding-Tape

過程溫度（°C）

170...240

170...240

過程壓力（MPa）

10...30

10...30

過程持續時間（s）

120...300

120...300

剪切強度（MPa）

20...50

30...60

主要優勢

高剪切強度
細間距
只有一個表面有NanoWiring結構

表面沒有NanoWiring結構
非常高的剪切強度

典型應用

芯片貼裝
覆晶技術 （Flip chip）

芯片貼裝
覆晶技術 （Flip chip）
大電流母線

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