KlettWelding

非常高效的接合技術

兩個表面有NanoWiring結構

剪切強度（最高可達60MPa）

鍵合層具有優良的電氣和熱特性

KLETTWELDING過程

我們如何製造KlettWelding

結構化

塗層

兩個表面有NanoWiring結構

定位

施加壓力

常温
壓力（從15MPa）
時間（從 60 ms）

KLETTWELDING概述

KlettWelding應用範圍

覆晶技術（Flip chip）

半導體產業

FPC/PCB, PCB/PCB

塑料連接

芯片貼裝

溫度敏感設備

KlettWelding演示視頻

觀看我們的CEO介紹的有關Klettwelding的視頻

KLETTWELDING+過程

KlettWelding+

非常高的剪切強度

兩個表面有NanoWiring結構

KlettWelding+應用範圍

芯片貼裝

覆晶技術（Flip chip）

大電流母線

我們如何製造KlettWelding+

結構化

塗層

兩個表面有NanoWiring結構

定位

施加壓力

溫度 (从170°C）
壓力（從10MPa）
時間（從10s）

NanoWired技術比較

比較表 (KlettWelding和KlettWelding+)

KlettWelding

KlettWelding+

NanoWiring

兩個表面

兩個表面

過程溫度（°C）

20

170...240

過程壓力（MPa）

從15

從10

過程持續時間（s）

0.06...60

120...300

剪切強度（MPa）

6...20

20...65

主要優勢

非常快速
細間距
低溫

非常快速
非常高的剪切強度

典型應用

芯片貼裝
覆晶技術（Flip chip）
溫度敏感設備

芯片貼裝
覆晶技術（Flip chip）
大電流母線

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