KlettWelding

非常高效的接合技术

两个表面有NanoWiring结构

剪切强度（最高可达60MPa）

键合层具有优良的电气和热特性

KLETTWELDING过程

我们如何制造KlettWelding

结构化

涂层

两个表面有NanoWiring结构

定位

施加压力

常温
压力（从15 MPa）
时间（从60 ms）

KLETTWELDING概述

KlettWelding应用范围

覆晶技术（Flip Chip）

半导体产业

FPC/PCB, PCB/PCB

塑料连接

芯片贴装

温度敏感设备

KlettWelding演示视频

观看我们的CEO介绍的有关KlettWelding的视频

KLETTWELDING+过程

KlettWelding+

非常高的剪切强度

两个表面有NanoWiring结构

KlettWelding+应用范围

芯片贴装

覆晶技术（Flip Chip）

大电流母线

我们如何制造KlettWelding+

结构化

涂层

两个表面有NanoWiring结构

定位

施加压力

温度（从170°C）
压力（从10 MPa）
时间（从10 s）

NanoWired技术比较

比价表（KlettWelding和KlettWelding+）

KlettWelding

KlettWelding+

NanoWiring

两个表面

两个表面

过程温度（°C）

20

170...240

过程压力（MPa）

从15

从10

过程持续时间（s）

0.06...60

120...300

剪切强度（MPa）

6...20

20...65

主要优势

非常快速
细间距
低温

细间距
非常高的剪切强度

典型应用

芯片贴装
覆晶技术（Flip Chip）
温度敏感设备

芯片贴装
覆晶技术（Flip Chip）
大电流母线

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