KlettWelding

非常高效的接合技術
兩個表面有NanoWiring結構
剪切強度(最高可達60MPa)
鍵合層具有優良的電氣和熱特性
Stack
Stack
KLETTWELDING過程

我們如何製造KlettWelding

結構化
塗層

兩個表面有NanoWiring結構

定位
施加壓力

常温
壓力(從15MPa)
時間(從 60 ms)

KLETTWELDING概述

KlettWelding應用範圍

覆晶技術(Flip chip)
半導體產業
FPC/PCB, PCB/PCB
塑料連接
芯片貼裝
溫度敏感設備

KlettWelding演示視頻

觀看我們的CEO介紹的有關Klettwelding的視頻

KLETTWELDING+過程

KlettWelding+

非常高的剪切強度
兩個表面有NanoWiring結構

KlettWelding+應用範圍

芯片貼裝
覆晶技術(Flip chip)
大電流母線

我們如何製造KlettWelding+

結構化
塗層

兩個表面有NanoWiring結構

定位
施加壓力

溫度 (从170°C)
壓力(從10MPa)
時間(從10s)

NanoWired技術比較

比較表 (KlettWelding和KlettWelding+)

KlettWelding
KlettWelding+
NanoWiring
兩個表面
兩個表面
過程溫度(°C)
20
170...240
過程壓力(MPa)
從15
從10
過程持續時間(s)
0.06...60
120...300
剪切強度(MPa)
6...20
20...65
主要優勢
非常快速
細間距
低溫
非常快速
非常高的剪切強度
典型應用
芯片貼裝
覆晶技術(Flip chip)
溫度敏感設備
芯片貼裝
覆晶技術(Flip chip)
大電流母線

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