Nominiert für den HERMES AWARD 2019

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Vorteile auf einen Blick

Verbindung bei Raumtemperatur

KlettWelding verbindet bei Raumtemperatur zwei mittels NanoWiring vorbereitete Oberflächen. Der Prozess spart nicht nur den Reflow-Prozess ein und schont die Halbleiterbauteile, sondern ist auch auf Folien anwendbar.

Verbindung bei Raumtemperatur
Hohe elektrische und thermische Leitfähigkeit

Die rein metallische Verbindung aus u.a. Kupfer, Gold oder Nickel, weist deutlich höhere elektrische und thermische Leitfähigkeiten auf, als Löten, Bonden, Klebstoffe oder Schrauben.

Hohe elektrische und thermische Leitfähigkeit
Hohe Langzeitstabilität

Die Verwendung von sortenreinen Metallen in der Verbindung verhindert ein Verspröden der Verbindung in Folge von Temperaturwechseln. Ebenfalls treten keine Batteriespannungen auf.

Hohe Langzeitstabilität
Ermöglicht 3D-Packaging

Beim KlettWelding und KlettSintern findet der Bond-Prozess in der z-Achse statt. Durch beidseitiges NanoWiring lassen sich Substrate zudem stapeln. Dies reduziert den Flächenverbrauch und ermöglicht den Aufbau von Hybriden.

Ermöglicht 3D-Packaging
Keine Schwermetalle

Durch die Substitution von Gold durch Kupfer verschwindet das umweltbelastende Gold-Recycling. Ebenfalls werden für die Verbindung keine Schwermetalle oder seltene Erden eingesetzt.

Keine Schwermetalle
Hochtemperaturfest

Nach dem Verbinden ist der Kontakt hochtemperaturfest bis über 600°C. Eine direkte thermische Anbindung ohne Zusatzstoffe ist somit möglich.

Hochtemperaturfest

Die Technologie

Grundlage der Verbindungstechnologie ist das NanoWiring – Hierbei wird über einen aktiven galvanischen Prozess ein metallischer Rasen auf beliebigen Oberflächen erzeugt. Ein Haar hat dabei typischer Weise eine Länge von 25 µm und einen Durchmesser von 1 µm. Für das Verbinden zweier Substrate stehen zwei auf NanoWiring aufbauende Technologien zur Verfügung. Das KlettWelding verbindet bereits bei Raumtemperatur zwei mit NanoWiring vorbereitete Substrate durch Zusammendrücken. Beim KlettSintering muss nur ein Substrat mit NanoWiring vorbereitet werden. Dafür werden während des Zusammenpressens ca. 210°C benötigt. Bei Verwendung unseres KlettWelding-Tapes muss sogar keine Oberfläche mit NanoWiring vorbereitet werden. Für die Qualitätskontrolle wurde ein spezielles Verfahren - die NanoInspection - entwickelt.

Die Technologie
Beschichtung
Beschichtung

Beim NanoWiring handelt es sich um einen galvanischen Prozess, der dem Tampon-Druck ähnelt. Hierbei wird ein Schwamm, der den Elektrolyten trägt, auf das Substrat gepresst.Read more

Verbindung bei Raumtemperatur
Verbindung bei Raumtemperatur

Beim KlettWelding werden zwei mittels NanoWiring vorbereitete Substrate durch Zusammendrücken (z.B. mit 20 MPa) bei Raumtemperatur verbunden. Diese Kraft kann in Abhängigkeit der Bauteilgröße vonRead more

Verbindung mit einseitiger Beschichtung
Verbindung mit einseitiger Beschichtung

Das KlettSintering verbindet prinzipiell zwei Substrate, bei dem nur eines von ihnen mittels NanoWiring vorbereitet wurde. Eine Abwandlung des Verfahrens stellt die Anwendung unseres KlettWelding-TapesRead more

Qualitätssicherung
Qualitätssicherung

Direkt im Anschluss an das NanoWiring werden die „berasten“ Flächen auf Homogenität und eventuelle Fehlstellen hin untersucht. Hierfür wird eine Kombination aus unterschiedlichen optischen VerfahrenRead more

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Das Unternehmen

Team

Team

Die Kombination aus 7 Jahren Forschung an der Technischen Universität Darmstadt und langjähriger Management-Erfahrung aus der Industrie legte den Grundstein für die Gründung der NanoWiredRead more

Standort Gernsheim

Standort Gernsheim

Wir brauchen Platz! Aus diesem Grund sind wir gerade mitten im Umzug in unsere neuen Räume in Gernsheim. Auf insgesamt über 800 qm² entstehen zurzeitRead more