用标准光刻技术或其他掩蔽工艺进行掩蔽

用标准光刻技术或其他掩蔽工艺进行掩蔽

欢迎来到我们 "NanoWiring是如何工作的?"系列文章中的第二篇。

并非每个表面都应完全接触。标准不仅仅是单一的,而是成百上千的联系。如果在基材上已经有了接触结构,如在晶圆上,所有的接触都可以通过溅射层(种子层)进行短路。遮蔽过程被用来定义要创建接触区的位置。在这里,不一定要生产导电的触点;热和机械连接也是可能的。所用的确切遮蔽工艺取决于要创建的触点的结构宽度(焊盘/间距)。一旦预定的区域被宏观定义,纳米布线过程就开始了,金属 "毛发 "在表面生长。

这种电化过程类似于移印过程。一种工业化生产的具有特殊孔隙层的海绵被填充了电解质。它通过NanoWiring Cube中的一个压制装置被压在表面上。纳米线在准备好的接触点的孔隙层内生长。多孔性层定义了金属线的结构和密度,以及它们的间距和长度。

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