La coopération avec YESvGaN

La coopération avec YESvGaN

Grâce à la collaboration avec NanoWired GmbH et d'autres partenaires, le projet YESvGaN fait de grands progrès en microélectronique. NanoWired GmbH ne se contente pas de contribuer avec sa propre technologie, elle mène également des recherches en étroite collaboration avec le projet.

"YESvGaN établira une nouvelle classe de transistors de puissance verticaux en GaN qui combinent les avantages en termes de performances des transistors verticaux à large bande interdite (WBG) avec les avantages en termes de coûts de la technologie établie du silicium. Ces transistors peuvent remplacer les IGBT pour réduire les pertes de conversion de puissance dans de nombreuses applications sensibles au prix, allant des alimentations des centres de données aux onduleurs de traction des véhicules électriques. YESvGaN couvre le développement de la nouvelle technologie requise, de la plaquette à l'application."

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