Maskieren mit Standard-Lithographie oder anderen Maskier-Verfahren

Maskieren mit Standard-Lithographie oder anderen Maskier-Verfahren

Willkommen zu dem zweiten von sieben Posts in unserer Post-Reihe „How does NanoWiring work?“

Nicht jede Oberfläche soll vollflächig kontaktiert werden. Der Standard sind nicht nur einzelne sondern hunderte oder tausende von Kontakten. Liegt wie bei einem Wafer schon eine Kontaktstruktur auf dem Substrat vor, so können alle Kontakte durch eine Sputterschicht (Seed-Layer) kurzgeschlossen werden. Mithilfe von Maskier Prozessen werden die Stellen definiert, an welchen die Kontaktzonen entstehen sollen. Hierbei müssen nicht zwingend elektrisch leitende Kontakte hergestellt werden, auch thermische und mechanische Verbindungen sind möglich. Welches exakte Maskier-Verfahren angewandt wird, richtet sich nach Strukturbreiten (Pad / Pitch) der zu erzeugenden Kontakte. Sobald die vorgesehenen Bereiche makroskopisch definiert wurden, beginnt der NanoWiring-Prozess und auf der Oberfläche wachsen metallische „Haare“.

Dieser galvanische Prozess ähnelt dem Tampon-Druck-Verfahren. Ein industriell hergestellter Schwamm mit einer speziellen Porositätsschicht ist gefüllt mit Elektrolyten wird. Er wird mittels einer Pressvorrichtung im NanoWiring-Cube auf die Oberfläche gedrückt. Am präparierten Kontaktpunkt wachsen innerhalb der Porositätsschicht die Nanodrähte. Die Porositätsschicht definiert die Struktur und Dichte der metallischen Drähte, sowie deren Abstand und Länge.

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